高效电池生产设备 - 光伏太阳能

详细介绍

晶硅电池PERC/TOPCon设备

·低压硼扩散设备：TOPCon已成为N型电池产业化推广的主流技术路线之一，硼扩散主要用于电池制造中正面制作PN结，属于关键制程之一。

·低压扩散/氧化退火炉：低压扩散是目前被认为有效提高太阳能电池转换效率一种有效途径，提高了扩散源的分子自由程，解决了扩散深度和均匀性的问题；相比常压扩散体现了一些显著的优势特性，比如高产能、高方阻、工艺重复性、低源消耗、洁净环保等，主要用于晶体硅太阳电池制造中硅片的扩散掺杂与氧化退火工艺。

·LPCVD/PE-POLY：适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon/BC工艺电池，LPCVD设备在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层多晶硅薄层，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴复合，从而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，最终极大地降低了金属接触复合电流。

·PECVD：在硅片表面淀积一层厚度约为75-140nm的减反射氨化硅膜(SixNy)，同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率，主要用在PERC/TOPCon电池正背面氨化硅膜生长。

·原子层沉积镀膜设备（ALD）：自主研发设计大产能管式ALD沉积设备,提供超薄高质量介电膜SnOx、AIOx、NiOx、ZnOx以应用于高效太阳能电池的制造,并搭配自动化提供稳定可靠的设备运行。

BC电池设备

·XBC激光开膜设备：应用于BC电池上的激光开膜工艺技术，使用超快激光搭配平顶整形光斑，为制备叉指状间隔排列的P区和N区进行掩膜的图形化加工，以实现定域掺杂功能。

·激光优化接触设备：应用于TOPCon电池栅线电极接触改善的工艺技术，位于丝网线光注入之后，通过匹配专用浆料，降低烧结峰值温度，降低对钝化层的损伤以及复合，之后加入LOC制程优化改善接触。可有效改善开路电压和填充因子，提升光电转换效率，增益在0.3%以上。

·背激光微处理设备：应用于TOPCon电池背面poly层上的微处理工艺技术，包含激光诱导改质和激光诱导非晶化两种工艺，可改善电池背面的接触性能以及降低长波长的光寄生吸收，提升光电转换效率，增益在0.1~0.2%。

钙钛矿电池设备

·钙钛矿激光刻划机（中试机型）：适用于实验室科研/研发前期阶段的小幅面钙钛矿电池产品激光工序验证，从而过渡向大尺寸量产线技术转移。

·钙钛矿激光刻划机（量产机型）：适用于钙钛矿、CIGS、CdTe、变色玻璃等薄膜电池P0打标、P1/P2/P3激光刻划、P4激光绝缘清边以及激光BIPV透光。